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文献
J-GLOBAL ID：200902230436254196
整理番号：07A0157932
HfO2/窒化ゲルマニウム/ゲルマニウムの金属-絶縁体-半導体構造における窒化ゲルマニウム界面層の役割
Role of germanium nitride interfacial layers in HfO2/germanium nitride/germanium metal-insulator-semiconductor structures
MAEDA Tatsuro
(MIRAI Project, Advanced Semiconductor Res. Center, National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. ...)
,
NISHIZAWA Masayasu
(MIRAI Project, Advanced Semiconductor Res. Center, National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. ...)
,
MORITA Yukinori
(MIRAI Project, Advanced Semiconductor Res. Center, National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. ...)
,
TAKAGI Shinichi
(MIRAI Project, ASRC-AIST, AIST Tsukuba West 7, Tsukuba, Ibaraki 305-8569, Japan and The Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo ...)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 90 号： 7 ページ： 072911-072911-3 発行年： 2007年02月12日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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