文献
J-GLOBAL ID:200902230555405704
整理番号:05A0306883
La2O3ゲート薄膜の電気特性に及ぼすメタライゼーション後のアニーリングの効果
Effect of Post-Metallization Annealing on Electrical Characteristics of La2O3 Gate Thin Films
著者 (4件):
KURIYAMA A
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
OHMI S
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
TSUTSUI K
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
IWAI H
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻:
44
号:
2
ページ:
1045-1051
発行年:
2005年02月15日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)