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文献
J-GLOBAL ID：200902230821220626
整理番号：05A0410985
4インチ直径シリコン上のAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタにおけるAlNバッファ層厚による破壊電圧の増強
Enhancement of breakdown voltage by AlN buffer layer thickness in AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors on 4 in. diameter silicon
ARULKUMARAN S.
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
,
EGAWA T.
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
,
MATSUI S.
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
,
ISHIKAWA H.
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 86 号： 12 ページ： 123503.1-123503.3 発行年： 2005年03月21日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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