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文献
J-GLOBAL ID：200902231116097510
整理番号：04A0382538
ポリチオフェンをベースにした電界効果トランジスタのデバイス特性に及ぼす湿気の影響
Influence of moisture on device characteristics of polythiophene-based field-effect transistors
HOSHINO S
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
YOSHIDA M
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
UEMURA S
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
KODZASA T
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
TAKADA N
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
KAMATA T
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
YASE K
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 95 号： 9 ページ： 5088-5093 発行年： 2004年05月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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