文献
J-GLOBAL ID:200902231133578017
整理番号:06A0911071
分子ビームエピタキシーによるSi(111)上のβ-FeSi2エピタキシャル膜の成長過程
Growth process of β-FeSi2 epitaxial film on Si(111) by molecular beam epitaxy
著者 (4件):
JI S.y.
(Inst. of Multidisciplinary Res. for Advanced Materials, Tohoku Univ., Sendai 980-8577, JPN)
,
WANG J.f.
(Inst. of Multidisciplinary Res. for Advanced Materials, Tohoku Univ., Sendai 980-8577, JPN)
,
LIM J.-w.
(Inst. of Multidisciplinary Res. for Advanced Materials, Tohoku Univ., Sendai 980-8577, JPN)
,
ISSHIKI M.
(Inst. of Multidisciplinary Res. for Advanced Materials, Tohoku Univ., Sendai 980-8577, JPN)
資料名:
Applied Surface Science
(Applied Surface Science)
巻:
253
号:
2
ページ:
444-448
発行年:
2006年11月15日
JST資料番号:
B0707B
ISSN:
0169-4332
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)