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文献
J-GLOBAL ID：200902231151520182
整理番号：05A0578718
NANDフラッシュメモリのトンネル酸化物の信頼性とデータ保持特性に対するストッピング窒化物からの機械的ストレスの効果
The Effect of Mechanical Stress from Stopping Nitride to the Reliability of Tunnel Oxide and Data Retention Characteristics of NAND FLASH Memory
OM Jaechul
(Hynix Semiconductor Inc., Kyoungki-do, KOR)
,
CHOI Eunseok
(Hynix Semiconductor Inc., Kyoungki-do, KOR)
,
KIM Sejun
(Hynix Semiconductor Inc., Kyoungki-do, KOR)
,
LEE Heegee
(Hynix Semiconductor Inc., Kyoungki-do, KOR)
,
KIM Yongwook
(Hynix Semiconductor Inc., Kyoungki-do, KOR)
,
CHANG Heehyun
(Hynix Semiconductor Inc., Kyoungki-do, KOR)
,
PARK Sungki
(Hynix Semiconductor Inc., Kyoungki-do, KOR)
,
BAE Gihyun
(Hynix Semiconductor Inc., Kyoungki-do, KOR)
資料名：
Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium
(Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium)
巻： 43rd ページ： 257-259 発行年： 2005年
JST資料番号： A0631A ISSN： 1541-7026 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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