文献
J-GLOBAL ID:200902231471008994
整理番号:09A0848822
新階段型STINチャネルLDMOSを有する0.15μmBiC-DMOS技術
0.15μm BiC-DMOS technology with novel Stepped-STI N-channel LDMOS
著者 (8件):
YANAGI Shinichiro
(Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN)
,
KIMURA H.
(Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN)
,
NITTA T.
(Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN)
,
KUROI T.
(Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN)
,
HATASAKO K.
(Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN)
,
MAEGAWA S.
(Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN)
,
ONISHI K.
(Renesas Semiconductor Engineering Corp., Hyogo, JPN)
,
OTSU Y.
(Renesas Semiconductor Engineering Corp., Hyogo, JPN)
資料名:
Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs
(Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)
巻:
21st
ページ:
80-83
発行年:
2009年
JST資料番号:
W1300A
ISSN:
1943-653X
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)