文献
J-GLOBAL ID:200902231701217458
整理番号:08A0657827
二重ゲートを持つ面内ドットを有する珪素単一電子メモリ
Silicon Single-Electron Memory Having in-Plane Dot with Double Gates
著者 (3件):
FUJIAKI Tomo
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
,
OHKURA Kensaku
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
,
NAKAJIMA Anri
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
47
号:
6 Issue 2
ページ:
4985-4987
発行年:
2008年06月25日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)