文献
J-GLOBAL ID:200902231778476570
整理番号:06A0164206
りんイオン注入4H-SiC(112-0)の再結晶過程
Recrystallization process of phosphorus ion implanted 4H-SiC(112-0)
著者 (3件):
SATOH M.
(Hosei Univ., Tokyo, JPN)
,
HITOMI T.
(Hosei Univ., Tokyo, JPN)
,
SUZUKI T.
(Hosei Univ., Tokyo, JPN)
資料名:
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms
(Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms)
巻:
242
号:
1-2
ページ:
627-629
発行年:
2006年01月
JST資料番号:
H0899A
ISSN:
0168-583X
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)