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文献
J-GLOBAL ID：200902231804124636
整理番号：07A0367043
先進ゲートスタック用のジルコニウム酸ハフニウムゲート絶縁体
Hafnium zirconate gate dielectric for advanced gate stack applications
HEGDE R. I.
(Austin Silicon Technol. Solutions (ASTS), Freescale Semiconductor Inc., 3501 Ed Bluestein Boulevard, Austin, Texas 78721)
,
TRIYOSO D. H.
(Austin Silicon Technol. Solutions (ASTS), Freescale Semiconductor Inc., 3501 Ed Bluestein Boulevard, Austin, Texas 78721)
,
SAMAVEDAM S. B.
(Austin Silicon Technol. Solutions (ASTS), Freescale Semiconductor Inc., 3501 Ed Bluestein Boulevard, Austin, Texas 78721)
,
WHITE B. E.
(Austin Silicon Technol. Solutions (ASTS), Freescale Semiconductor Inc., 3501 Ed Bluestein Boulevard, Austin, Texas 78721)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 101 号： 7 ページ： 074113-074113-7 発行年： 2007年04月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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