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文献
J-GLOBAL ID：200902231979167184
整理番号：05A0827961
多結晶シリコンとTiN電極によるHfO2トランジスタの物理的比較
Physical comparison of HfO2 transistors with polycrystalline silicon and TiN electrodes
LYSAGHT P. S.
(SEMATECH, Texas)
,
FORAN B.
(Advanced Technol. Dev. Facility, Texas)
,
BERSUKER G.
(SEMATECH, Texas)
,
PETERSON J. J.
(SEMATECH, Texas)
,
YOUNG C. D.
(SEMATECH, Texas)
,
MAJHI P.
(SEMATECH, Texas)
,
LEE B-H.
(IBM Assignee, Texas)
,
HUFF H. R.
(SEMATECH, Texas)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 87 号： 8 ページ： 082903.1-082903.3 発行年： 2005年08月22日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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