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文献
J-GLOBAL ID：200902232118947010
整理番号：06A0938833
超小型化MOSFETにおける井戸端部近傍効果のモデリング
Modeling the Well-Edge Proximity Effect in Highly Scaled MOSFETs
SHEU Yi-Ming
(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Hsinchu, TWN)
,
SHEU Yi-Ming
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
SU Ke-Wei
(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Hsinchu, TWN)
,
TIAN Shiyang
(Synopsys, Inc., TX, USA)
,
YANG Sheng-Jier
(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Hsinchu, TWN)
,
WANG Chih-Chiang
(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Hsinchu, TWN)
,
CHEN Ming-Jer
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
LIU Sally
(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Hsinchu, TWN)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 53 号： 11 ページ： 2792-2798 発行年： 2006年11月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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