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文献
J-GLOBAL ID：200902232122475743
整理番号：09A0458386
熱酸化によるn型4H-SiC中のキャリア寿命の改善と深準位の低下
Reduction of Deep levels and Improvement of Carrier Lifetime in n-Type 4H-SiC by Thermal Oxidation
HIYOSHI Toru
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
KIMOTO Tsunenobu
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名：
Applied Physics Express
(Applied Physics Express)
巻： 2 号： 4 ページ： 041101.1-041101.3 発行年： 2009年04月25日
JST資料番号： F0599C ISSN： 1882-0778 CODEN： APEPC4 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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