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文献
J-GLOBAL ID：200902232136946595
整理番号：07A0602248
Si(110)表面上の高性能CMOSのための超高速キャリア移動度
Very High Carrier Mobility for High-Performance CMOS on a Si(110) Surface
TERAMOTO Akinobu
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
HAMADA Tatsufumi
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
YAMAMOTO Masashi
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
GAUBERT Philippe
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
AKAHORI Hiroshi
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
NII Keiichi
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
HIRAYAMA Masaki
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
ARIMA Kenta
(Osaka Univ., Suita, JPN)
,
ENDO Katsuyoshi
(Osaka Univ., Suita, JPN)
,
SUGAWA Shigetoshi
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
OHMI Tadahiro
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 54 号： 6 ページ： 1438-1445 発行年： 2007年06月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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