文献
J-GLOBAL ID:200902232194352247
整理番号:09A0756302
HfO2/Ge MIS構造のF2処理と窒素ラジカル処理による電気的特性の向上
Improvement of electrical characteristics of HfO2/Ge MIS structure treated by fluorine gas and nitrogen radical
著者 (6件):
今庄秀人
(大阪大 大学院基礎工学研究科)
,
LEE Hyun
(大阪大 大学院基礎工学研究科)
,
LEE Dong-Hun
(大阪大 大学院基礎工学研究科)
,
吉岡祐一
(大阪大 大学院基礎工学研究科)
,
金島岳
(大阪大 大学院基礎工学研究科)
,
奥山雅則
(大阪大 大学院基礎工学研究科)
資料名:
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻:
109
号:
87(SDM2009 26-44)
ページ:
45-50
発行年:
2009年06月12日
JST資料番号:
S0532B
ISSN:
0913-5685
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)