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文献
J-GLOBAL ID：200902232264154910
整理番号：04A0167379
多結晶シリコンの融体成長特性のその場観察
In-situ observations of melt growth behavior of polycrystalline silicon
FUJIWARA K
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
OBINATA Y
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
UJIHARA T
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
USAMI N
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
SAZAKI G
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
NAKAJIMA K
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 262 号： 1/4 ページ： 124-129 発行年： 2004年02月15日
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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