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文献
J-GLOBAL ID：200902232530751635
整理番号：03A0062933
強誘電性重合体のLangmuir-Blodgett膜を用いた不揮発性記憶素子
Nonvolatile memory element based on a ferroelectric polymer Langmuir-Blodgett film.
REECE T J
(Univ. Nebraska, Nebraska)
,
DUCHARME S
(Univ. Nebraska, Nebraska)
,
SOROKIN A V
(Univ. Nebraska, Nebraska)
,
POULSEN M
(Univ. Nebraska, Nebraska)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 82 号： 1 ページ： 142-144 発行年： 2003年01月06日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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