文献
J-GLOBAL ID:200902232676693050
整理番号:06A0473608
高性能フレキシブル薄膜トランジスタのための非晶質酸化物半導体
Amorphous Oxide Semiconductors for High-Performance Flexible Thin-Film Transistors
著者 (8件):
NOMURA Kenji
(JST-ERATO-SORST, Yokohama, JPN)
,
TAKAGI Akihiro
(Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN)
,
KAMIYA Toshio
(JST-ERATO-SORST, Yokohama, JPN)
,
KAMIYA Toshio
(Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN)
,
OHTA Hiromichi
(JST-ERATO-SORST, Yokohama, JPN)
,
HIRANO Masahiro
(JST-ERATO-SORST, Yokohama, JPN)
,
HOSONO Hideo
(JST-ERATO-SORST, Yokohama, JPN)
,
HOSONO Hideo
(Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻:
45
号:
5B
ページ:
4303-4308
発行年:
2006年05月30日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
文献レビュー
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)