文献
J-GLOBAL ID:200902232756600524
整理番号:05A0330431
三次元転位動力学シミュレーションのSTI半導体構造への応用
Application of three-dimensional dislocation dynamics simulation to the STI semiconductor structure
著者 (4件):
IZUMI S.
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
MIYAKE T.
(Hitachi Ltd., Ibaraki, JPN)
,
SAKAI S.
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
OHTA H.
(Hitachi Ltd., Ibaraki, JPN)
資料名:
Materials Science & Engineering. A. Structural Materials: Properties, Microstructure and Processing
(Materials Science & Engineering. A. Structural Materials: Properties, Microstructure and Processing)
巻:
A395
号:
1/2
ページ:
62-69
発行年:
2005年03月25日
JST資料番号:
D0589B
ISSN:
0921-5093
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)