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文献
J-GLOBAL ID：200902233011305098
整理番号：05A0265539
高性能不揮発性HfO2ナノ結晶メモリ
High-Performance Nonvolatile HfO2 Nanocrystal Memory
LIN Y-H
(National Chiao-Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
CHIEN C-H
(National Nano Device Lab., Hsinchu, TWN)
,
LIN C-T
(National Chiao-Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
CHANG C-Y
(National Chiao-Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
LEI T-F
(National Chiao-Tung Univ., Hsinchu, TWN)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 26 号： 3 ページ： 154-156 発行年： 2005年03月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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