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文献
J-GLOBAL ID：200902233048138868
整理番号：04A0151008
パルスレーザ蒸着による炭化けい素ヘテロエピタキシャル薄膜におけるポリタイプ形成の制御
Control of polytype formation in silicon carbide heteroepitaxial films by pulsed-laser deposition
KUSUMORI T
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST) Chubu, Nagoya, JPN)
,
MUTO H
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST) Chubu, Nagoya, JPN)
,
BRITO M E
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST) Chubu, Nagoya, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 84 号： 8 ページ： 1272-1274 発行年： 2004年02月23日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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