文献
J-GLOBAL ID:200902233051821129
整理番号:03A0551781
新規な前駆体からの原子層蒸着により調製した窒化タングステンの高共形薄膜
Highly Conformal Thin Films of Tungsten Nitride Prepared by Atomic Layer Deposition from a Novel Precursor
著者 (4件):
BECKER J S
(Harvard Univ., Massachusetts)
,
SUH S
(Harvard Univ., Massachusetts)
,
WANG S
(Harvard Univ., Massachusetts)
,
GORDON R G
(Harvard Univ., Massachusetts)
資料名:
Chemistry of Materials
(Chemistry of Materials)
巻:
15
号:
15
ページ:
2969-2976
発行年:
2003年07月29日
JST資料番号:
T0893A
ISSN:
0897-4756
CODEN:
CMATEX
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)