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文献
J-GLOBAL ID：200902233415537464
整理番号：03A0352360
高バイアスAlGaN/GaN HEMTの自己発熱評価
Study of Self-Heating Effects in Highly Biased AlGaN/GaN HEMTs.
重川直輝
(NTT)
,
小野寺清光
(NTT)
,
塩島謙次
(NTT)
資料名：
電気学会電子デバイス研究会資料
(電気学会研究会資料)
巻： EDD-03 号： 32-43 ページ： 57-62 発行年： 2003年03月06日
JST資料番号： Z0910A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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