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文献
J-GLOBAL ID：200902233466247460
整理番号：09A0508145
7.8MB/sを実現する64Gb4ビット/セル43nm NANDフラッシュメモリー
A 7.8MB/s 64Gb 4bit/Cell NAND Flash Memory in 43nm CMOS
本間充祥
(東芝)
,
TRINH Cuong
(サンディスク)
,
柴田昇
(東芝)
,
中野威
(東芝)
,
小川幹雄
(東芝)
,
佐藤順平
(東芝)
,
竹山嘉和
(東芝)
,
磯部克明
(東芝)
,
LE Binh
(サンディスク)
,
MOOGAT Farookh
(サンディスク)
,
MOKHLESI Nima
(サンディスク)
,
KOZAKAI Kenji
(サンディスク)
,
HONG Patrick
(サンディスク)
,
KAMEI Teruhiko
(サンディスク)
,
岩佐清明
(東芝)
,
中井潤
(東芝)
,
清水孝洋
(東芝)
,
境新太郎
(東芝)
,
川合利昌
(東芝)
,
星聡
(東芝)
,
YUH Jonghak
(サンディスク)
,
HSU Cynthia
(サンディスク)
,
TSENG Taiyuan
(サンディスク)
,
LI Jason
(サンディスク)
,
HU Jayson
(サンディスク)
,
LIU Martin
(サンディスク)
,
KHALID Shahzad
(サンディスク)
,
CHEN Jiaqi
(サンディスク)
,
LIN Hungszu
(サンディスク)
,
YANG Jeff
(サンディスク)
,
MCKAY Keith
(サンディスク)
,
NGUYEN Khanh
(サンディスク)
,
PHAM Trung
(サンディスク)
,
松田容幸
(東芝)
,
中村敬一
(東芝)
,
金箱和範
(東芝)
,
吉川進
(東芝)
,
五十嵐渉
(東芝)
,
井上敦史
(東芝)
,
高橋俊行
(東芝)
資料名：
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 109 号： 2(ICD2009 1-12) ページ： 43-46 発行年： 2009年04月06日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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