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文献
J-GLOBAL ID：200902233489263196
整理番号：06A0021968
Pd-酸化物-In0.49Ga0.51P高電子移動度トランジスタ(HEMT)に基づく水素センサの特性
Characteristics of a Pd-oxide-In0.49Ga0.51P high electron mobility transistor (HEMT)-based hydrogen sensor
CHENG Chin-chuan
(Inst. of Microelectronics, Dep. of Electrical Engineering, National Cheng-Kung Univ., 1 Univ. Road, Tainan, Taiwain ...)
,
TSAI Yan-ying
(Inst. of Microelectronics, Dep. of Electrical Engineering, National Cheng-Kung Univ., 1 Univ. Road, Tainan, Taiwain ...)
,
LIN Kun-wei
(Dep. of Electrical Engineering, Chien Kuo Technol. Univ., Changhua, Taiwan, TWN)
,
CHEN Huey-ing
(Dep. of Chemical Engineering, National Cheng-Kung Univ., 1 Univ. Road, Tainan, Taiwan 70101, TWN)
,
HSU Wei-hsi
(Inst. of Microelectronics, Dep. of Electrical Engineering, National Cheng-Kung Univ., 1 Univ. Road, Tainan, Taiwain ...)
,
HONG Ching-wen
(Inst. of Microelectronics, Dep. of Electrical Engineering, National Cheng-Kung Univ., 1 Univ. Road, Tainan, Taiwain ...)
,
LIU Wen-chau
(Inst. of Microelectronics, Dep. of Electrical Engineering, National Cheng-Kung Univ., 1 Univ. Road, Tainan, Taiwain ...)
資料名：
Sensors and Actuators. B. Chemical
(Sensors and Actuators. B. Chemical)
巻： 113 号： 1 ページ： 29-35 発行年： 2006年01月17日
JST資料番号： T0967A ISSN： 0925-4005 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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