文献
J-GLOBAL ID:200902233538445084
整理番号:06A0475406
NiSi,Ni2SiおよびNi31Si12の電気的にロバストな超長ナノワイヤ
Electrically robust ultralong nanowires of NiSi, Ni2Si, and Ni31Si12
著者 (5件):
ZHANG Zhen
(KTH, Royal Inst. of Technol., Dep. of Microelectronics and Information Technol., Electrum 229, SE-164 40 Kista, SWE)
,
HELLSTROEM Per-erik
(KTH, Royal Inst. of Technol., Dep. of Microelectronics and Information Technol., Electrum 229, SE-164 40 Kista, SWE)
,
OESTLING Mikael
(KTH, Royal Inst. of Technol., Dep. of Microelectronics and Information Technol., Electrum 229, SE-164 40 Kista, SWE)
,
ZHANG Shi-li
(KTH, Royal Inst. of Technol., Dep. of Microelectronics and Information Technol., Electrum 229, SE-164 40 Kista, SWE)
,
LU Jun
(Uppsala Univ., The Angstroem Lab., P.O. Box 534, SE-751 21 Uppsala, SWE)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
88
号:
4
ページ:
043104-043104-3
発行年:
2006年01月23日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)