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文献
J-GLOBAL ID：200902233644739399
整理番号：07A0607004
AlNのエピ層厚とオプトエレクトロニック特性及び構造特性との関係
Correlation between optoelectronic and structural properties and epilayer thickness of AlN
PANTHA B. N.
(Dep. of Physics, Kansas State Univ., Manhattan, Kansas 66506-2601)
,
DAHAL R.
(Dep. of Physics, Kansas State Univ., Manhattan, Kansas 66506-2601)
,
NAKARMI M. L.
(Dep. of Physics, Kansas State Univ., Manhattan, Kansas 66506-2601)
,
NEPAL N.
(Dep. of Physics, Kansas State Univ., Manhattan, Kansas 66506-2601)
,
LI J.
(Dep. of Physics, Kansas State Univ., Manhattan, Kansas 66506-2601)
,
LIN J. Y.
(Dep. of Physics, Kansas State Univ., Manhattan, Kansas 66506-2601)
,
JIANG H. X.
(Dep. of Physics, Kansas State Univ., Manhattan, Kansas 66506-2601)
,
PADUANO Q. S.
(Air Force Res. Lab., Hanscom AFB, Massachusetts 01731)
,
WEYBURNE David
(Air Force Res. Lab., Hanscom AFB, Massachusetts 01731)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 90 号： 24 ページ： 241101 発行年： 2007年06月11日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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