文献
J-GLOBAL ID:200902233725795706
整理番号:05A0068483
サファイア基板を用いた高電圧ノーマリオフ型GaN MOSFET
High-Voltage Normally Off GaN MOSFETs on Sapphire Substrates
著者 (3件):
MATOCHA K
(GE Global Res., NY, USA)
,
CHOW T P
(Rensselaer Polytechnic Inst., NY, USA)
,
GUTMANN R J
(Rensselaer Polytechnic Inst., NY, USA)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
52
号:
1
ページ:
6-10
発行年:
2005年01月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)