文献
J-GLOBAL ID:200902233761602400
整理番号:06A0716324
薄い増倍層を有する低暗電流4H-SiCアバランシェフォトダイオードの性能
Performance of Low-Dark-Current 4H-SiC Avalanche Photodiodes With Thin Multiplication Layer
著者 (7件):
GUO Xiangyi
(Univ. Texas at Austin, TX, USA)
,
BECK Ariane L.
(Univ. Texas at Austin, TX, USA)
,
HUANG Zhihong
(Univ. Texas at Austin, TX, USA)
,
DUAN Ning
(Univ. Texas at Austin, TX, USA)
,
CAMPBELL Joe C.
(Univ. Texas at Austin, TX, USA)
,
EMERSON David
(Cree, Inc., NC, USA)
,
SUMAKERIS Joseph J.
(Cree, Inc., NC, USA)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
53
号:
9
ページ:
2259-2265
発行年:
2006年09月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)