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文献
J-GLOBAL ID：200902233802207146
整理番号：04A0182449
二次元Siマルチドットデバイス中のアンビポーラCoulombブロッケード特性
Ambipolar Coulomb Blockade Characteristics in a Two-Dimensional Si Multidot Device
NURYADI R
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
,
IKEDA H
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
,
ISHIKAWA Y
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
,
TABE M
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
資料名：
IEEE Transactions on Nanotechnology
(IEEE Transactions on Nanotechnology)
巻： 2 号： 4 ページ： 231-235 発行年： 2003年12月
JST資料番号： W1355A ISSN： 1536-125X CODEN： ITNECU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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