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文献
J-GLOBAL ID：200902233879947100
整理番号：06A0089938
プラズマ誘起欠陥を減らすCrからMoSiのその場ドライエッチングプロセス研究
A study of Cr to Mosi in-situ. dry etching process to reduce plasma induced defect
JANG Il-Yong
(Samsung Electronics Co., Kyunggi-Do, KOR)
,
PARK Young-Ju
(Samsung Electronics Co., Kyunggi-Do, KOR)
,
KWON Hyuk-Joo
(Samsung Electronics Co., Kyunggi-Do, KOR)
,
MOON Seong-Yong
(Samsung Electronics Co., Kyunggi-Do, KOR)
,
CHOI Seong-Woon
(Samsung Electronics Co., Kyunggi-Do, KOR)
,
HAN Woo-Sung
(Samsung Electronics Co., Kyunggi-Do, KOR)
資料名：
Proceedings of SPIE
(Proceedings of SPIE)
巻： 5992 号： Pt.1 ページ： 59920O.1-59920O.8 発行年： 2005年
JST資料番号： D0943A ISSN： 0277-786X CODEN： PSISDG 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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