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文献
J-GLOBAL ID：200902233949195682
整理番号：09A0809051
有機金属化学気相成長法によって成長させたGaInP被覆層を有するInAs量子ドットの光ルミネセンス特性
Photoluminescence Characteristics of InAs Quantum Dots with GaInP Cover Layer Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition
SENGOKU Tomoyuki
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
SUZUKI Ryoichiro
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
NEMOTO Kosuke
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
TANABE Satoru
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
KOYAMA Fumio
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
MIYAMOTO Tomoyuki
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 48 号： 7,Issue 1 ページ： 070203.1-070203.3 発行年： 2009年07月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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