文献
J-GLOBAL ID:200902234128265824
整理番号:04A0198820
エピタキシャルGaN層へのけい素注入 封止アニールと電気特性
Silicon implantation in epitaxial GaN layers: Encapsulant annealing and electrical properties
著者 (4件):
MATSUNAGA S
(Hosei Univ., Tokyo, JPN)
,
YOSHIDA S
(Hosei Univ., Tokyo, JPN)
,
KAWAJI T
(Hosei Univ., Tokyo, JPN)
,
INADA T
(Hosei Univ., Tokyo, JPN)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
95
号:
5
ページ:
2461-2466
発行年:
2004年03月01日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)