文献
J-GLOBAL ID:200902234484133720
整理番号:03A0767269
Ge凝縮法で作製した7nm厚の歪Ge-オン-絶縁体層の評価
Characterization of 7-nm-thick strained Ge-on-insulator layer fabricated by Ge-condensation technique
著者 (5件):
NAKAHARAI S
(Assoc. of Super-Advanced Electronics Technol. (ASET), Kawasaki, JPN)
,
TEZUKA T
(Assoc. of Super-Advanced Electronics Technol. (ASET), Kawasaki, JPN)
,
SUGIYAMA N
(Assoc. of Super-Advanced Electronics Technol. (ASET), Kawasaki, JPN)
,
MORIYAMA Y
(Assoc. of Super-Advanced Electronics Technol. (ASET), Kawasaki, JPN)
,
TAKAGI S
(Assoc. of Super-Advanced Electronics Technol. (ASET), Kawasaki, JPN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
83
号:
17
ページ:
3516-3518
発行年:
2003年10月27日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)