文献
J-GLOBAL ID:200902234588083430
整理番号:04A0749823
β-Ga2O3(100)へき開表面のNH3窒化後の六方晶GaNへの再構成
Reconstruction of the β-Ga2O3 (1 0 0) cleavage surface to hexagonal GaN after NH3 nitridation
著者 (4件):
VILLORA E G
(Waseda Univ., Tokyo, JPN)
,
SHIMAMURA K
(Waseda Univ., Tokyo, JPN)
,
AOKI K
(Koha Co., Ltd., Tokyo, JPN)
,
ICHINOSE N
(Waseda Univ., Tokyo, JPN)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
270
号:
3/4
ページ:
462-468
発行年:
2004年10月01日
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)