文献
J-GLOBAL ID:200902234867877552
整理番号:06A0062176
MOS素子の負バイアス温度不安定性
The negative bias temperature instability in MOS devices: A review
著者 (2件):
STATHIS J.h.
(IBM Semiconductor Res. and Dev. Center (SRDC), Res. Div., TJ Watson Res. Center, P.O. Box 218, Yorktown Heights, NY ...)
,
ZAFAR S.
(IBM Semiconductor Res. and Dev. Center (SRDC), Res. Div., TJ Watson Res. Center, P.O. Box 218, Yorktown Heights, NY ...)
資料名:
Microelectronics Reliability
(Microelectronics Reliability)
巻:
46
号:
2-4
ページ:
270-286
発行年:
2006年02月
JST資料番号:
C0530A
ISSN:
0026-2714
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)