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文献
J-GLOBAL ID：200902235088604120
整理番号：04A0357157
正確に(001)配向したGe/Si仮想基板上へのGaAsベース構造の直接成長:構造欠陥密度の低減とCW電気注入下の室温でのエレクトロルミネセンスの観察
Direct growth of GaAs-based structures on exactly (001)-oriented Ge/Si virtual substrates: reduction of the structural defect density and observation of electroluminescence at room temperature under CW electrical injection
CHRIQUI Y
(Lab. Photonique et de Nanostructures, CNRS, Marcoussis, FRA)
,
LARGEAU L
(Lab. Photonique et de Nanostructures, CNRS, Marcoussis, FRA)
,
PATRIARCHE G
(Lab. Photonique et de Nanostructures, CNRS, Marcoussis, FRA)
,
SAINT-GIRONS G
(Lab. Photonique et de Nanostructures, CNRS, Marcoussis, FRA)
,
BOUCHOULE S
(Lab. Photonique et de Nanostructures, CNRS, Marcoussis, FRA)
,
SAGNES I
(Lab. Photonique et de Nanostructures, CNRS, Marcoussis, FRA)
,
BENSAHEL D
(ST Microelectronics, Crolles, FRA)
,
CAMPIDELLI Y
(ST Microelectronics, Crolles, FRA)
,
KERMARREC O
(ST Microelectronics, Crolles, FRA)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 265 号： 1/2 ページ： 53-59 発行年： 2004年04月15日
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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