文献
J-GLOBAL ID:200902235184389583
整理番号:06A0137840
エピタクシー4H-SiC Schottkyダイオードへの高線量の陽子および中性子照射の効果
Effect of heavy proton and neutron irradiations on epitaxial 4H-SiC Schottky diodes
著者 (11件):
SCIORTINO S.
(Dep. Energetics, Florence, ITA)
,
SCIORTINO S.
(INFN of Florence, Florence, ITA)
,
HARTJES F.
(NIKHEF, Amsterdam, NLD)
,
LAGOMARSINO S.
(Dep. Energetics, Florence, ITA)
,
LAGOMARSINO S.
(INFN of Florence, Florence, ITA)
,
NAVA F.
(Univ. Modena and Reggio Emilia, Modena, ITA)
,
BRIANZI M.
(INFN of Florence, Florence, ITA)
,
CINDRO V.
(Univ. Ljubljana, Ljubljana, SVN)
,
LANZIERI C.
(Alenia Marconi Systems, Rome, ITA)
,
MOLL M.
(CERN, Geneve, CHE)
,
VANNI P.
(Univ. Modena and Reggio Emilia, Modena, ITA)
資料名:
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section A. Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment
(Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section A. Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment)
巻:
552
号:
1-2
ページ:
138-145
発行年:
2005年10月21日
JST資料番号:
D0208B
ISSN:
0168-9002
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)