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文献
J-GLOBAL ID：200902235292763912
整理番号：06A0059204
二酸化けい素層の蒸着に起因する多結晶シリコン薄膜での(111)ナノ双晶ラメラ状ヒロックの形成
Formation of (111) nanotwin lamellae hillocks in polycrystalline silicon thin films caused by deposition of silicon dioxide layer
IMAI Shigeki
(System Solutions Planning Dep., Electronic Components & Devices, Sharp Corp., 2613-1, Ichinomoto-cho, Tenri, Nara ...)
,
FUJIMOTO Masayuki
(Graduate School of Electronic Sci. and Technol., Shizuoka Univ., 3-5-1 Jyouhoku, Hamamatsu 432-8561, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 88 号： 2 ページ： 021912-021912-3 発行年： 2006年01月09日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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