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文献
J-GLOBAL ID：200902235304159153
整理番号：03A0017647
高い電流/電力密度をもつ4H-SiCバイポーラ接合型トランジスタ
4H-SiC bipolar junction transistor with high current and power density.
PEREZ-WURFL I
(Univ. Colorado, CO, USA)
,
KRUTSINGER R
(Astralux Inc., CO, USA)
,
TORVIK J T
(Univ. Colorado, CO, USA)
,
VAN ZEGHBROECK B
(Univ. Colorado, CO, USA)
資料名：
Solid-State Electronics
(Solid-State Electronics)
巻： 47 号： 2 ページ： 229-231 発行年： 2003年02月
JST資料番号： H0225A ISSN： 0038-1101 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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