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文献
J-GLOBAL ID：200902235351690134
整理番号：05A0055955
3D-OTPメモリにおけるSiO2のアンチヒューズの評価
Evaluation of SiO2 Antifuse in a 3D-OTP Memory
LI F
(Matrix Semiconductor, Inc., CA, USA)
,
YANG X
(Matrix Semiconductor, Inc., CA, USA)
,
MEEKS A T
(Matrix Semiconductor, Inc., CA, USA)
,
SHEARER J T
(Matrix Semiconductor, Inc., CA, USA)
,
LE K Y
(Matrix Semiconductor, Inc., CA, USA)
資料名：
IEEE Transactions on Device and Materials Reliability
(IEEE Transactions on Device and Materials Reliability)
巻： 4 号： 3 ページ： 416-421 発行年： 2004年09月
JST資料番号： W1320A ISSN： 1530-4388 CODEN： ITDMA2 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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