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文献
J-GLOBAL ID：200902235391736862
整理番号：05A0079313
極薄ゲートSiO2膜Poly-Si CMOSトランジスタのホットキャリア劣化
Hot Carrier Degradation in Low Temperature Poly-Si CMOS TFT with Ultra-Thin gate SiO2 film
宮下誠
(奈良先端科学技術大学院大)
,
菅原祐太
(奈良先端科学技術大学院大)
,
北島浩司
(奈良先端科学技術大学院大)
,
畑山智亮
(奈良先端科学技術大学院大)
,
矢野裕司
(奈良先端科学技術大学院大)
,
浦岡行治
(奈良先端科学技術大学院大)
,
冬木隆
(奈良先端科学技術大学院大)
,
芹川正
(東大 先端科学技術研究セ)
資料名：
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 104 号： 510(SDM2004 192-208) ページ： 59-64 発行年： 2004年12月09日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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