文献
J-GLOBAL ID:200902235452759178
整理番号:06A0421162
SiN/SiO2/SiNの3重層によって構成される絶縁体を用いたAlGaN/GaNの高性能金属-絶縁体-半導体高電子移動度トランジスタ
High Performance AlGaN/GaN Metal-Insulator-Semiconductor High Electron Mobility Transistors Fabricated Using SiN/SiO2/SiN Triple-Layer Insulators
著者 (7件):
ENDOH Akira
(Fujitsu Lab. Ltd., Kanagawa, JPN)
,
YAMASHITA Yoshimi
(Fujitsu Lab. Ltd., Kanagawa, JPN)
,
HIROSE Nobumitsu
(National Inst. Information and Communications Technol., Tokyo, JPN)
,
HIKOSAKA Kohki
(Fujitsu Lab. Ltd., Kanagawa, JPN)
,
MATSUI Toshiaki
(National Inst. Information and Communications Technol., Tokyo, JPN)
,
HIYAMIZU Satoshi
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
MIMURA Takashi
(Fujitsu Lab. Ltd., Kanagawa, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻:
45
号:
4B
ページ:
3364-3367
発行年:
2006年04月30日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)