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文献
J-GLOBAL ID：200902236169139577
整理番号：07A0607089
nチャネル・ディプリーションモードとエンハンスメントモードを持つ高い再生産可能なZnOナノワイヤ電界効果型トランジスタの実現
Realization of highly reproducible ZnO nanowire field effect transistors with n-channel depletion and enhancement modes
HONG Woong-ki
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, Gwangju Inst. of Sci. and Technol., 1 Oryong-dong, Buk-gu, Gwangju 500-712, KOR)
,
HWANG Dae-kue
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, Gwangju Inst. of Sci. and Technol., 1 Oryong-dong, Buk-gu, Gwangju 500-712, KOR)
,
PARK Il-kyu
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, Gwangju Inst. of Sci. and Technol., 1 Oryong-dong, Buk-gu, Gwangju 500-712, KOR)
,
JO Gunho
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, Gwangju Inst. of Sci. and Technol., 1 Oryong-dong, Buk-gu, Gwangju 500-712, KOR)
,
SONG Sunghoon
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, Gwangju Inst. of Sci. and Technol., 1 Oryong-dong, Buk-gu, Gwangju 500-712, KOR)
,
PARK Seong-ju
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, Gwangju Inst. of Sci. and Technol., 1 Oryong-dong, Buk-gu, Gwangju 500-712, KOR)
,
LEE Takhee
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, Gwangju Inst. of Sci. and Technol., 1 Oryong-dong, Buk-gu, Gwangju 500-712, KOR)
,
KIM Bong-joong
(School of Materials Engineering, Purdue Univ., 501 Northwestern Avenue, West Lafayette, Indiana 47907 and Birck ...)
,
STACH Eric A.
(School of Materials Engineering, Purdue Univ., 501 Northwestern Avenue, West Lafayette, Indiana 47907 and Birck ...)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 90 号： 24 ページ： 243103 発行年： 2007年06月11日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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