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文献
J-GLOBAL ID：200902236209851410
整理番号：09A1258143
Si埋込み酸化物を用いたMOSキャパシタにおける電流-電圧ヒステリシス特性
Current-Voltage Hysteresis Characteristics in MOS Capacitors with Si-Implanted Oxide
MATSUDA Toshihiro
(Toyama Prefectural Univ., Imizu-shi, JPN)
,
ISHIMARU Shinsuke
(Toyama Prefectural Univ., Imizu-shi, JPN)
,
NOHARA Shingo
(Toyama Prefectural Univ., Imizu-shi, JPN)
,
IWATA Hideyuki
(Toyama Prefectural Univ., Imizu-shi, JPN)
,
KOMOKU Kiyotaka
(Okayama Prefectural Univ., Soja-shi, JPN)
,
MORISHITA Takayuki
(Okayama Prefectural Univ., Soja-shi, JPN)
,
OHZONE Takashi
(Dawn Enterprise Co., LTD., Nagoya-shi, JPN)
資料名：
IEICE Transactions on Electronics (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers)
(IEICE Transactions on Electronics (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： E92-C 号： 12 ページ： 1523-1530 発行年： 2009年12月01日
JST資料番号： L1370A ISSN： 0916-8524 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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