文献
J-GLOBAL ID:200902236443384923
整理番号:03A0490098
りんドーピングおよびドーパントの熱活性化によるp型ZnO薄膜の実現
Realization of p-type ZnO thin films via phosphorus doping and thermal activation of the dopant
著者 (5件):
KIM K-K
(Kwangju Inst. Sci. and Technol., Gwangju, KOR)
,
KIM H-S
(Kwangju Inst. Sci. and Technol., Gwangju, KOR)
,
HWANG D-K
(Kwangju Inst. Sci. and Technol., Gwangju, KOR)
,
LIM J-H
(Kwangju Inst. Sci. and Technol., Gwangju, KOR)
,
PARK S-J
(Kwangju Inst. Sci. and Technol., Gwangju, KOR)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
83
号:
1
ページ:
63-65
発行年:
2003年07月07日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)