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J-GLOBAL ID：200902236449556793 整理番号：07A0531088

MIM (Metal-Insulator-Metal)キャパシタを用いた混載DRAMデバイステクノロジー

Device Technology for embedded DRAM utilizing stacked MIM(Metal-Insulator-Metal) Capacitor

著者 (8件)：

谷川高穂

(NECエレクトロニクス)

山縣保司

(NECエレクトロニクス)

白井浩樹

(NECエレクトロニクス)

杉村啓世

(NECエレクトロニクス)

和気智子

(NECエレクトロニクス)

井上顕

(NECエレクトロニクス)

佐甲隆

(NECエレクトロニクス)

坂尾眞人

(NECエレクトロニクス)

資料名：

電子情報通信学会技術研究報告 (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))

巻： 107 号： 1(ICD2007 1-16) ページ： 17-22 発行年： 2007年04月05日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

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