文献
J-GLOBAL ID:200902236517272375
整理番号:03A0145500
高信頼性InGaAsP/InP埋め込みヘテロ構造レーザ用の低欠陥再成長界面を作製するためのHBr-Br2-H2Oエッチング液を最適化する
Optimizing HBr-Br2-H2O Etchants to Form Low Defect Regrowth Interfaces for Highly Reliable InGaAsP/InP Buried-Heterostructure Lasers.
著者 (4件):
SHINODA K
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
TAIKE A
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
SATO H
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
UCHIYAMA H
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
資料名:
Journal of the Electrochemical Society
(Journal of the Electrochemical Society)
巻:
150
号:
2
ページ:
G117-G121
発行年:
2003年02月
JST資料番号:
C0285A
ISSN:
1945-7111
CODEN:
JESOAN
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)