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文献
J-GLOBAL ID：200902236535712471
整理番号：05A0535291
再成長させたオーミック構造をもちAlGaN/GaN絶縁物ゲートでAlGaN/GaNチャネルドープのヘテロ構造電界効果トランジスタ:高温における低いゲート漏れ電流
Al2O3/Si3N4 Insulated Gate Channel-Doped AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors with Regrown Ohmic Structure: Low Gate Leakage Current with High Transconductance
MAEDA Narihiko
(NTT Corp., Kanagawa, JPN)
,
MAKIMURA Takashi
(NTT Corp., Kanagawa, JPN)
,
WANG Chengxin
(NTT Corp., Kanagawa, JPN)
,
HIROKI Masanobu
(NTT Corp., Kanagawa, JPN)
,
MAKIMOTO Toshiki
(NTT Corp., Kanagawa, JPN)
,
KOBAYASHI Takashi
(NTT Corp., Kanagawa, JPN)
,
ENOKI Takatomo
(NTT Corp., Kanagawa, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 44 号： 4B ページ： 2747-2750 発行年： 2005年04月30日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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