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文献
J-GLOBAL ID:200902236640123325   整理番号:04A0537675

ドライエッチングと再成長過程で作製したGaInAsP/InP部分的歪補正した多重量子細線レーザ

GaInAsP/InP Partially Strain-Compensated Multiple-Quantum-Wire Lasers Fabricated by Dry Etching and Regrowth Processes
著者 (8件):
YAGI H
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
SANO T
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
OHIRA K
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
PLUMWONGROT D
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
MARUYAMA T
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
HAQUE A
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
TAMURA S
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
ARAI S
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)

資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)

巻: 43  号: 6A  ページ: 3401-3409  発行年: 2004年06月15日 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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