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文献
J-GLOBAL ID：200902236640123325
整理番号：04A0537675
ドライエッチングと再成長過程で作製したGaInAsP/InP部分的歪補正した多重量子細線レーザ
GaInAsP/InP Partially Strain-Compensated Multiple-Quantum-Wire Lasers Fabricated by Dry Etching and Regrowth Processes
YAGI H
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
SANO T
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
OHIRA K
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
PLUMWONGROT D
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
MARUYAMA T
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
HAQUE A
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
TAMURA S
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
ARAI S
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 43 号： 6A ページ： 3401-3409 発行年： 2004年06月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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